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關(guān)于英唐
中天弘宇技術(shù)發(fā)布會隆重舉行 英唐智控董事長一行應(yīng)邀到賀
所屬分類：公司動態(tài) 閱讀次數(shù)：16345 發(fā)布時間：2021-08-23
2021年8月22日，英唐智控合作伙伴中天弘宇在上海浦東舉行了“自主研發(fā)、國際首創(chuàng)——先進存儲技術(shù)發(fā)布會”。上海市、浦東新區(qū)等相關(guān)部門，國際半導(dǎo)體協(xié)會等行業(yè)組織出席，公司董事長胡慶周、 半導(dǎo)體事業(yè)群總裁孫磊、董事長助理張光劍一行也應(yīng)邀出席了本次發(fā)布會。
中國工程院院士倪光南視頻致辭
本次發(fā)布會上，中國工程院院士倪光南通過視頻方式致辭，他指出本次發(fā)布的先進存儲技術(shù)是一項重大發(fā)明，實現(xiàn)了中國存儲器底層技術(shù)零的突破，希望企業(yè)與集成電路行業(yè)企業(yè)一起發(fā)奮努力，設(shè)計創(chuàng)新更多自主原創(chuàng)的產(chǎn)品，提高自主原創(chuàng)存儲器的市場份額。
中天弘宇副總裁、CTO聶虹向與會來賓詳細介紹了其先進存儲技術(shù)的創(chuàng)新原理、優(yōu)勢特點、產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。該技術(shù)由傳統(tǒng)的“熱電子注入”（CHE）升級為 “二次電子倍增注入浮柵”，并創(chuàng)造性地對閃存存儲單元結(jié)構(gòu)進行了重構(gòu)，使新的存儲單元突破短溝道穿通的世界性難題、并兼容標準的邏輯制程。運用這一技術(shù)的存儲產(chǎn)品，有著小面積、低功耗、大容量、低成本的特點，在汽車、工業(yè)、5G的領(lǐng)域應(yīng)用前景廣闊。目前該項發(fā)明成果已在中、日、美、韓和中國臺灣地區(qū)申請了成體系的原創(chuàng)性發(fā)明專利，其中多項核心專利已獲批，專利體系化建設(shè)在不斷完善之中。
同時中天弘宇副總裁聶虹還指出，電源管理芯片（PMIC）市場容量巨大，國內(nèi)起點較低，中天弘宇以此作為新存儲技術(shù)的市場切入點，將大有可為。據(jù)其介紹，運用該項技術(shù)的國內(nèi)某頭部代工廠商的90nmBCD工藝平臺已經(jīng)通過產(chǎn)品流片驗證，相關(guān)測試結(jié)果符合設(shè)計規(guī)格，90nm制程的BCD工藝較當前代工廠中主流BCD工藝平臺（130nm-180nm）擁有明顯的技術(shù)和成本優(yōu)勢。
英唐智控于2020年11月與中天弘宇簽署《合作協(xié)議》，雙方將結(jié)合公司在汽車、工業(yè)及移動通信領(lǐng)域的客戶資源和渠道分銷優(yōu)勢、中天弘宇先進存儲技術(shù)在90nmBCD工藝平臺的技術(shù)優(yōu)勢，雙方將聯(lián)合開發(fā)電源管理類芯片，并擬以新型存儲技術(shù)在電源管理芯片上的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用為開端，開展新型存儲技術(shù)在設(shè)計研發(fā)、生產(chǎn)制造及市場推廣方面的深度合作。本次發(fā)布會的成功召開，將有望加快推進雙方的合作進程。
英唐智控、中天弘宇領(lǐng)導(dǎo)合影
